Ojciec chrzestny rynku DRAM nie ma złudzeń: Chiny mogą zalać rynek tanią pamięcią RAM w 2028 roku

Pamięć RAM dla graczy, do laptopów i smartfonów jest bardzo droga, a branża AI cierpi na wieczny niedobór ze względu na zbyt małą podaż. Charles Kao, nazywany „ojcem chrzestnym tajwańskiego rynku DRAM”, uważa, że problem rozwiąże się za około 2 lata, gdy na rynek globalny z pełną mocą wejdą producenci z Chin. Ze względu na brak dostępu do maszyn EUV od ASML pracują nad inną nowatorską technologią.

Chiński RAM doprowadzi do spadku cen

Nadzieje związane z pamięcią RAM produkowaną w Chinach były wyrażane już pod koniec 2025 roku. W tamtym czasie ceny podzespołów dopiero zaczynały rosnąć i liczono, że podaż zostanie zaspokojona przez nowe firmy. Okazało się jednak, że chiński RAM również nie należy do najtańszych, ale zdaniem Charlesa Kao sytuacja zmieni się w 2028 roku.

Zobacz też:Z tym narzędziem codziennie automatycznie poinformujecie Sama Altmana, ile RAM-u zmarnowaliście na gierki zamiast centra danychNowy smartfon ze starą pamięcią RAM. Producenci znaleźli sposób na kryzys, który jeszcze niedawno wydawałby się absurdalnySam Altman ma dość krytyki za słowa o RAM-ie, bo uważa, że wszyscy źle go zrozumieli

Odpowiadający za rozwój branży DRAM na Tajwanie ekspert stwierdził niedawno, że CXMT ma szansę doprowadzić do realnej zmiany. Technologicznie chiński gigant wciąż będzie odstawać od Samsunga, SK Hynix i Microna, ale sam rozmiar produkcji mógłby doprowadzić do tego, że ceny pamięci RAM będą spadać. CXMT może wyróżnić się innym procesem technologicznym.

Wszyscy liderzy branży DRAM prowadzą produkcję korzystając z technologii EUV, która polega na intensywnym naświetlaniu wafli krzemowych promieniowaniem ultrafioletowym. Pozwala to na wytworzenie gęstszego układu, a w tym roku rozpoczęto produkcję w nowocześniejszym systemie High-NA EUV. Korzysta z niego dziś głównie Intel, a Samsung opóźnia wdrożenie przez wysokie koszty.

Za to CXMT stawia na architekturę 4F2. Wykorzystanie pionowych tranzystorów kanałowych zamiast standardowych rozwiązań w teorii zwiększa gęstość układu o 50% przy zmniejszeniu rozmiarów komórki nawet o 40%. Charles Kao dodał, że mimo ambicji w Chinach wciąż występują problemy z fizyczną stabilnością sprzętu przy utrzymaniu jej pojemności i poprawnego przepływu prądu.

• tech
• pamięć RAM