UltraRAM to przełom - pojemność SSD i szybkość RAM w jednym
Znajdujący się w fazie prototypów UltraRAM ma zaoferować pojemność pamięci masowej przy zachowaniu szybkości pamięci RAM. Nasze smartfony także znacznie zyskają na tej technologii.
Michał Zegar
- UltraRAM łączy w sobie nieulotność pamięci przechowywującej dane z szybkością RAM-u.
- Może ona także znacząco zwiększyć żywotność baterii w smartfonach.
- Technologia znajduje się w fazie testowej. Powstały już jej pierwsze prototypy.
Na początku miesiąca naukowcy z Wydziału Fizyki na Uniwersytecie w Lancasterze (Wielka Brytania) opublikowali swoją najnowszą pracę. Opisali w niej rewolucyjny projekt nośnika pamięci o nazwie UltraRAM – powstały już także pierwsze prototypy – oraz postęp, jaki dokonał się w przybliżaniu rozpoczęcia jego masowej produkcji. Co zatem wyróżnia UltraRAM?
[…] łączy w sobie nieulotność pamięci przechowywującej dane – jak pamięć typu flash – z szybkością, energooszczędnością i wytrzymałością RAM-u.
Koncepcja urządzenia UltraRAM. Źródło: onlinelibrary.wiley.com.
UltraRAM eliminuje konieczność przechodzenia danych pomiędzy procesorem, pamięcią dynamiczną i pamięcią masową urządzenia. Zaoszczędziłoby to nam najpewniej cenne milisekundy, a co za tym idzie – zwiększyłoby wydajność całej konfiguracji w stosunku do obecnie stosowanych rozwiązań.
Materiały, z których zbudowany jest UltraRAM, możemy znaleźć w oświetleniu LED, laserach, fotodiodach i fototranzystorach. Naukowcy od niedawna opierają konstrukcję UltraRAM-u na waflach krzemowych, które mogą być nawet tysiąc razy tańsze od swoich odpowiedników z arsenku galu. Tym samym autorska pamięć naukowców z Lancasteru może być rozwiązaniem korzystnym dla portfeli klientów.
Charakterystyka materiałów. Źródło: onlinelibrary.wiley.com.
Przetestowane prototypy pozwalały przechowywać zapisane na nich dane nawet przez tysiąc lat oraz gwarantowały 10 milionów cykli zapisu i kasowania bez widocznej degradacji plików. Dodatkowo technologia UltraRAM wykorzystuje kwantowo-mechaniczny efekt tunelowania rezonansowego, aby umożliwić barierze potencjału przejście z bycia nieprzezroczystą na przezroczystą po przyłożeniu napięcia.
Proces ten oznacza – mówiąc po ludzku – o wiele mniejszy pobór energii w stosunku do obecnych rozwiązań, który może znacząco wpłynąć m.in. na zwiększoną żywotność baterii w smartfonach. Dodatkowo pozwala tworzyć bardzo kompaktowe architektury z dużą gęstością bitową, co w teorii powinno zachęcić producentów do upychania większej ilości pamięci na pojedynczym chipie UltraRAM-u.
Firmy Kioxia (kiedyś Toshiba Memory) oraz Western Digital również starają się zmniejszyć lukę w prędkościach pomiędzy dyskami SSD a pamięcią RAM za pomocą technologii XL-FLASH. Samsung opatentował technikę Z-NAND – znacznie zmniejszającą opóźnienia nośników SSD – zaś Intel oferuje dodatkową pamięć Optane, umożliwiającą szybsze ładowanie najczęściej używanych programów na słabszych konfiguracjach.
Żaden z powyższych pomysłów nie jest jednak tak zaawansowany jak UltraRAM. Ten wciąż wymaga wielu szlifów, ale to, co właśnie zaprezentowano, prawdopodobnie wystarczy, aby wzbudzić zainteresowanie firm technologicznych. Zwłaszcza jeśli UltraRAM rzeczywiście może być tak szybki – jeśli nie szybszy – jak tradycyjna pamięć RAM. Kto wie, może tak właśnie wygląda przyszłość nośników danych?
Komentarze czytelników
GRYOnline.pl:
tvgry.pl:
