512 GB w superszybkich pamięciach DDR5 to nowy rekord
Pamięci operacyjnej nigdy za dużo? Dzięki technologii HKMG Samsungowi udało się opracować bardzo szybkie moduły DDR5 o pojemności 512 GB.
- Samsung opracował moduły pamięci DDR5 o pojemności 512 GB dzięki technologii HKMG.
Pamięć RAM, w której mogłaby zmieści się cała gra? Samsung opracował moduły pamięci DDR5 o sporej pojemności 512 GB, które są przy tym szybkie i zarazem energooszczędne. Udało się to dzięki technologii produkcji układów scalonych z zastosowaniem materiału HKMG, stosowanej wcześniej z powodzeniem przez tego producenta w pamięciach GDDR6. Będą mieć zastosowanie w centrach danych i superkomputerach.
Jak podaje Samsung w informacji prasowej, stworzenie pojedynczego modułu DDR5 o tak dużej pojemności jest możliwe dzięki technologii warstwowej TSV. Materiał HKMG pozwolił ułożyć w jednym stosie osiem warstw układów DRAM 16 Gb (2 GB). W ten sposób można osiągnąć wysoką prędkość, nawet do 7200 Mb/s. To dwukrotnie szybciej niż w przypadku DDR4. Pobór energii może być mniejszy nawet o 13%, co będzie miało szczególne znaczenie w sektorze serwerowym, gdzie efektywność energetyczna gra często „pierwsze skrzypce”.
Nie znamy terminu uruchomienia sprzedaży modułów DDR5 512 GB – muszą one jeszcze przejść testy weryfikacyjne i certyfikację. Pod koniec roku na rynku konsumenckim ma mieć premierę platforma Alder Lake-S, która obsłuży pamięci DDR5.
HKMG (High-k Metal Gate)
Technologia, która bazuje na stosowaniu w tranzystorach materiału o tzw. wysokiej stałej dielektrycznej, co ogranicza prądy upływu. Dzięki temu układ scalony jest bardziej efektywny energetycznie, pozwala na większą miniaturyzację i na osiągnięcie większej wydajności.
- Oficjalna strona firmy Samsung
- DDR5 ze sporym wzrostem wydajności w testach względem DDR4
- Idą podwyżki cen pamięci RAM; podrożeją karty graficzne i DDR4
